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Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET刷新最低导通电阻记录

—— 器件低至34mΩ和45mΩ,占位面积2mmx2mm,采用PowerPAK®SC-70封装

导读: 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率,在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻,占位面积为2mm x 2mm。

  此次发布的器件适用于负载和充电器开关、DC/DC转换器,以及智能手机、平板电脑、移动计算设备、非植入便携式医疗产品、带有小型无刷直流电机的手持式消费电子产品中电源管理应用的H桥和电池保护。SiA936EDJ为这些应用提供了34mΩ(4.5V)、37mΩ(3.7V)和45mΩ(2.5V)的极低导通电阻,并内建ESD保护功能。器件在2.5V下的导通电阻比最接近的8V VGS器件低11.7%,同时具有更高的(G-S)防护频带,比使用12V VGS的最接近器件的导通电阻低15.1%。

Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET刷新最低导通电阻记录

  器件的低导通电阻使设计者可以在其电路里实现更低的压降,更有效地使用电能,并延长电池寿命。双片SiA936EDJ把两颗MOSFET集成在一个小尺寸封装里,简化了设计,降低了元器件数量,节省了重要的PCB空间。MOSFET进行了100%的Rg测试,符合JEDEC JS709A的无卤素规定,符合RoHS指令2011/65/EU。

  SiA936EDJ现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

 

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