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浅谈数字供电和模拟供电的区别

2013-11-08 14:03
风频浪劲
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  数字供电和常见的模拟供电不同,前者采用了数字PWM,体积更小的整合了数字MOSFET和DRIVER的芯片,以及体积更小的数字排感,搭配多个MLCC;而模拟供电不同,采用传统的PWM芯片,每相搭配2-4个体积比较大的MOSFET,每相搭配一个独立的电感,而且会搭配容量比较大的电容。所以从外观上,我们很容易分辨数字供电和模拟供电。

  可看出影驰这款显卡采用了数字PWM VT1165MF,体积非常小、整合MOSFET和DRIVER的CSP封装VOLTERRA公司的VT1195SF MULTIPHASE电源芯片,以及CPL-4-50数字排感和MLCC,显然这是典型的数字供电。不过数字供电的意义不仅仅在于“体积”,更在于性能。

  数字供电采用的PWM IC

  显卡采用的PWM芯片为VT1165MF,在NVIDIA旗舰显卡上很常见,可以轻松搞定数百瓦功耗的顶级显卡。通过VT1165MF组成的数字供电,转换效率远高于模拟供电普遍保持的70-80%,而达到了90%.不仅仅如此,由它组成的数字供电还更为精确,GPU电压峰值幅度仅140mV,而模拟供电GPU电压峰值幅度却有300mV.更精确的供电有利于保证GPU稳定工作,超频也更容易达到极限,寿命也更长。

  数字供电采用的MOSFET

  上面我们已经谈到数字供电和模拟供电最明显的特征之一,那就是MOSFET和DRIVER.这款数字供电显卡采用了VT1195SF,内部整合了MOSFET和DRIVER.相比模拟供电常采用的工作频率在300KHz的MOSFET,数字供电MOSFET工作频率非常高,达到了800KHz.更高的开关频率,使得数字供电瞬态性能更佳,功耗更低,转换效率更高。同时,数字供电可以驱动的电流每相可以达到40A,远远超过了模拟供电普遍30A的极限。结合这款显卡4相数字供电设计来看,它可以提供电流达160A,这样大的电流也更适合超频。

  不仅仅如此,数字供电的MOSFET可以承受的温度更高,可以适应更恶略的工作环境。普通模拟供电采用的MOSFET,尽管独立设计,相对散热更好一些,但是它们最高能承受的温度只有100度左右。而上面的数字MOSFET最高承受的温度可达200度。这样一来,数字供电应用范围也更广。抛开成本来看,数字MOSFET件前景更光明。

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