侵权投诉
当前位置:

OFweek电源网

电源配套

正文

隔离驱动IGBT功率器件设计技巧

导读: IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件,都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文讨论隔离驱动IGBT等功率器件的技巧。

  IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件,都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文讨论隔离驱动IGBT等功率器件的技巧。

  如何避免米勒效应?

  IGBT操作时所面临的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种效果是明显的在0到 15 V类型的门极驱动器(单电源驱动器)。门集-电极之间的耦合,在于IGBT关断 期间 , 高dV / dt瞬态可诱导寄生IGBT道通(门集电压尖峰),这是潜在的危险。

  当上半桥的IGBT打开操作,dVCE/ dt电压变化发生跨越下半桥的IGBT。电流会流过米勒的寄生电容,门极电阻和内部门极驱动电阻。这将倒至门极电阻电压的产生。如果这个电压超过IGBT门极阈值的电压,可能会导致寄生IGBT道通。

  有两种传统解决方案。首先是添加门极和发射极之间的电容。第二个解决方法是使用负门极驱动。第一个解决方案会造成效率损失。第二个解决方案所需的额外费用为负电源电压。

  解决方案是通过缩短门极 - 发射极的路径, 通过使用一个额外的晶体管在于门极 - 发射极之间。达到一定的阈值后,晶体管将短路门极 - 发射极地区。这种技术被称为有源米勒钳位, 提供在我们的ACPL-3xxJ产品。你可以参考Avago应用笔记 AN5314

  在哪些应用场合需要考虑米勒效应的影响?

  IGBT操作时所面临的问题之一是米勒效应的寄生电容。这种效果是明显的在0到 15 V类型的门极驱动器(单电源驱动器)。门集-电极之间的耦合,在于IGBT关断 期间 , 高dV / dt瞬态可诱导寄生IGBT道通(门集电压尖峰),这是潜在的危险。

  当上半桥的IGBT打开操作,dVCE/ dt电压变化发生跨越下半桥的IGBT。电流会流过米勒的寄生电容,门极电阻和内部门极驱动电阻。这将倒至门极电阻电压的产生。如果这个电压超过IGBT门极阈值的电压,可能会导致寄生IGBT道通。

  有两种传统解决方案。首先是添加门极和发射极之间的电容。第二个解决方法是使用负门极驱动。第一个解决方案会造成效率损失。第二个解决方案所需的额外费用为负电源电压。

  解决方案是通过缩短门极 - 发射极的路径, 通过使用一个额外的晶体管在于门极 - 发射极之间。达到一定的阈值后,晶体管将短路门极 - 发射极地区。这种技术被称为有源米勒钳位, 提供在我门的ACPL-3xxJ产品。

  1)当使用负电源,就不需要使用米勒箝位,但需花额外费用在负电源上。

  2)如果只有单电源可使用,那么设计者可以使用内部内置的有源米勒箝位。

  这两种解决方法一样可靠。米勒箝引脚在不使用时,需要连接到VEE。

1  2  下一页>  
声明: 本文由入驻OFweek公众平台的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号