侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

为芯片节能 五种降低未来IC功耗的技术

2014-05-16 15:33
瑾年Invader
关注

  在不远的将来,CMOS产品线还可能增加的其它近期材料包括砷化铟镓(InGaAs)。英特尔公司计划使用InGaAs增强未来三闸电晶体上的通道,据称此举可望使工作电压降低至0.5V。

  然而,长期来看,碳纳米管和平面版的石墨烯很可能成为未来超低功耗元件的首选材料。

  在乔治亚理工学院(GeorgiaTech)的实验室中,已经证明石墨烯的互连性能超过铜。IBM公司也已经展示使用碳纳米管或石墨烯材料,可制造出低功耗、超高速的电晶体。TI最近则展示石墨烯可望在晶圆级制造出来。

  英特尔公司针对以碳材料实现更高电迁移率方面进行研究,但其结论则是这些材料的商用时机未到。

  “使用纳米碳或石墨烯的碳互连结构具有非常吸引人的特性。”英特尔公司的Bohr指出,“不过,尽管大体积材料具有更低电阻,连接路径的电阻却不低。不过这是一种非常具有前景的材料,因此我希望在今后几年能够见到更多的业界相关研究。”

<上一页  1  2  3  4  5  
声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号