侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET第四代N沟道功率MOSFET

2019-02-21 10:55
VISHAY
关注

器件采用PowerPAK SO-8单体封装,栅极电荷为52 nC,输出电荷为68 nC均达到同类产品最佳水平

2019221,日前Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装的60 V TrenchFET 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率,导通电阻比前代器件降低36%,同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。

Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET? 第四代 N沟道功率MOSFET

日前发布的器件10 V条件下最大导通电阻降至1.7 mW,栅极电荷仅为52 nC,输出电荷为68 nC,COSS为992 pF。在功率转换应用中,这款MOSFET的栅极电荷与导通电阻乘积和输出电荷与导通电阻乘积优值系数 (FOM) 分别比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。

SiR626DP改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗。器件提高了AC/DC拓扑结构同步整流,隔离式DC/DC拓扑结构原边和副边开关效率,适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。

MOSFET经过100% RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiR626DP现可提供样品并已实现量产。产品供货周期为30周,视市场情况而定。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号