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东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

2020-03-30 16:17
东芝电子
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东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源

东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

U-MOS X-H系列产品示意图

新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。

由于采用了其最新一代的工艺制造技术,与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此,新产品可提供业界最低[3]功耗。

东芝正在扩展其降耗型产品线,从而为降低设备功耗提供帮助。

应用:

开关电源(高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等)

电机控制设备(电机驱动等)

特性:

业界最低[3]功耗(通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡)

业界最低[3]导通电阻:

RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)

RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)

高额定通道温度:Tch=175℃

主要规格:                                                                (除非另有说明,@Ta=25℃)

   

东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率                   

注释:

[1] 总栅极电荷(栅源+栅漏)、栅极开关电荷、输出电荷。

[2] 与TPH4R008NH(U-MOS Ⅷ-H系列)进行比较,TPH2R408QM的漏源导通电阻x总栅极电荷改善约为15%、漏源导通电阻 x 栅极开关电荷改善约为10%、漏源导通电阻x输出电荷改善约为31%。

[3] 截至2019年3月30日,东芝调研。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社,主要从事电子元器件事业和存储产品事业。其中电子元器件事业包含占市场大份额的分立器件、以及业界先进的系统LSI。在分立半导体领域,集中力量在控制设备功耗的功率器件等产品。在系统LSI领域,通过用于物联网、汽车电子、通信和电源应用领域的LSI产品,推动全球电子设备的发展。存储产品事业主要在机械硬盘(HDD)领域,着重开发面向数据中心等企业级大容量存储产品。东芝通过加强电子元器件事业和存储产品事业,为支持和推动智能社区和智能生活的建设提供广泛的半导体解决方案及应用。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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