GaN
氮化镓（GaN）是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于宽禁带半导体之列。氮化镓是微波功率晶体管的优良材料，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力。
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MTC-PD65W1C-CTA1快充电源-使用MTC-650V Cascode D-GaN
本电源模块是65W单一C界面，其输出电压由协议IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等电压输出，使用QR/DCM反驰式电路架构于输出20V重载时可达93%效率及功率
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GaN充电器逐步走进快充市场，成为当下快充新宠！
【大比特导读】随着GaN材料的应用，以及其技术的提高，GaN充电器逐步走进快充市场，受到众多消费者的青睐，已然成为当下快充新宠。近期，据相关媒体报道称，Unikorn开始生产100W的GaN－on－Si芯片，且有望在今年为苹果生产相应的产品
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安森美高速氮化镓(GaN)门极驱动器获“Top 10电源产品奖”
无论是家电消费品，或者是我们身边的电子设备，还有日趋电子化的汽车，我们无时无刻不在接触电子产品。在这些设备中，都需要一种叫做“门极驱动器”的电子器件，在电路中起到“开关”和“门”的作用，它在将电能流向最终应用的过程中非常重要
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体积小兼容强 GaN充电器或成手机快充新标配
现在还有不少用户保留着夜里睡觉给手机充电的习惯，其实随着手机快充功能的发展，我们已经不需要再保持这种习惯了，只要每天起床到出门这段时间随便充一会儿就可以将手机充到50％的电量，充电速度的提高让短时间迅速补充电量成为现实
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台积电宣布：将与意法半导体合作，加速氮化镓 (GaN) 技术开发
台积电昨日宣布，与意法半导体合作加速市场采用氮化镓产品。意法半导体预计今年晚些时候将首批样品交给其主要客户。台积电与意法半导体将合作加速氮化镓(Gallium Nitride, GaN)制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化镓元件导入市场
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GaN和SiC技术成就PI在过去一年的逆势上涨
针对 GaN、SiC 等宽禁带材料，业界经过了多年的研究和探索，2019 年随着 5G 进入商用阶段以及新能源汽车的普及，GaN 作为 5G 基站的关键材料，SiC 作为新能源汽车关键技术，终于迎来了爆发时刻，国内外厂商纷纷推出相关产品
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国产GaN氮化镓研发取得突破进展：12月底试产
GaN被誉为继第一代Ge、Si半导体材料，第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，在光电子、大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
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氮化镓技术走出实验室：ANKER GaN充电器全球首发
ANKER GaN氮化镓充电器可谓吸引了全球眼球，高速高频高效让大功率USB PD充电器不再是魁梧砖块，小巧的体积一样可以实现大功率输出，比APPLE原厂30W充电器更小更轻便。
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