IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载查看详情>流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
-
IGBT驱动技术现状浅析
开关电源中大功率器件驱动电路的设计一向是电源领域的关键技术之一。普通大功率三极管和绝缘栅功率器件(包括VMOS场效应管和IGBT绝缘栅双极性大功率管等),由于器件结构的不同,具体的驱动要求和技术也大不相同。
-
IGBT 系统设计全攻略【详细】
IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。
相关标签
换一批
最新活动更多 >
-
4月1日立即下载>> 【村田汽车】汽车E/E架构革新中，新智能座舱挑战的解决方案
-
4日10日立即报名>> OFweek 2025（第十四届）中国机器人产业大会
-
即日-4.22立即报名>> 【在线会议】汽车腐蚀及防护的多物理场仿真
-
4月25日立即报名>> 【线下论坛】新唐科技2025新品发布会
-
4月30日立即参与 >> 【白皮书】研华机器视觉项目召集令
-
限时免费下载立即下载 >>> 2024“机器人+”行业应用创新发展蓝皮书
最新招聘
更多
