无线充电行业风气云涌，在广阔的市场前景前，很多原先不做无线充电的公司希望进入市场分一杯羹，原来做无线充电的公司也迫切希望推出集成度更高，更有竞争力的无线充电方案。而伏达推出的PowerStage（智能功率全桥芯片）可以通过搭配一个MCU完成无线充电系统的设计，完美解决这些需求。

目前的第三代无线充电方案采用MCU＋PowerStage的架构，整体方案就是两颗芯片，伏达于2016年最早推出了带电流采样的智能功率全桥芯片NU1007／NU1006（Gen1 智能功率全桥），2018年更是推出了全面升级之后的智能功率全桥芯片NU1015／NU1009／NU1008（Gen2 智能功率全桥）。

伏达半导体Gen1 智能功率全桥

伏达半导体Gen1智能功率全桥芯片NU1007／NU1006集成了所有关键功能，包括高效率的功率场效应管、低EMI的功率场效应管驱动器、自举电路、2．5V LDO和无损电流测量。无损电流测量去掉了电流检测电阻和放大电路，节约了成本，提高了效率 ，可用于FOD（外物检测）功率测量和带内通信。

PowerMOS和Driver集成在一起使得Driver和PowerMOS可以匹配得非常完美，开关损耗可以被优化到极致。寄生电感降低，EMI风险可以大大降低，从而不需要牺牲效率。在多线圈应用领域，PowerMOS和Driver集成集成可以大大简化PCB走线的难度，MCU控制功率管开关的信号只有数字走线，即使智能功率全桥芯片跟MCU距离很远也不会影响性能，从而实现用一个MCU搭配N个智能功率全桥完成N个线圈的应用。

NU1007

NU1007是高度集成的10W智能功率全桥芯片，与伏达主控SP3400一起构成符合WPC 1．2．4 BPP标准的低成本高性能无线充电发射端。它支持4到10V输入电压，3mm＊3mm QFN封装， 充电效率为81％ 5W／5Vin／5Vout ＆ 83％ 9W／9Vin／9Vout ，11V过压保护，8A过流保护，155摄氏度过温保护。

NU1006

NU1006是高度集成的5W智能功率全桥芯片，为世界上第一颗全集成功率全桥芯片，与伏达主控NU1300一起构成符合WPC 1．2．4 BPP标准的低成本高性能无线充电发射端。输入电压范围为4到5．5V， 3mm＊3mm QFN封装， 充电效率为81％ 5W／5Vin／5Vout，7V过压保护，8A过流保护，155摄氏度过温保护。

伏达NU1300＋NU1006 无线充电方案被应用在mophie， Ravpower，绿联等知名品牌中。

伏达半导体的Gen2智能功率全桥

伏达半导体Gen2智能功率全桥芯片NU1015／NU1009／NU1008除了集成了Gen1智能功率全桥所有关键功能：高效率的功率场效应管、低EMI 的功率场效应管驱动器、无损电流采样，还集成了无损的Q值检测、双路数字解调，集成度更高。

NU1015

NU1015是高度集成的15W智能功率全桥芯片，通过了WPC1．2．4 EPP认证，集成了功率全桥、全桥驱动、Q值检测、电流采样、数字解调， 5V DC／DC供电。输入电压范围为4到16V， 4mm＊4mm QFN封装，充电效率为84％ 10W ＆ 82．14％ 15W，18V过压保护，8A过流保护，155摄氏度过温保护。

NU1015搭配伏达主控NU1509已经通过了WPC1．2．4 EPP认证，是世界上集成度最高的通过EPP认证的无线充电发射端解决方案。

NU1009

NU1009是高度集成的10W智能功率全桥芯片，通过了WPC1．2．4 EPP认证，集成了功率全桥、全桥驱动、Q值检测、电流采样、数字解调，5V DC／DC供电。输入电压为4到10V， 4mm＊4mm QFN封装， 充电效率为81％ ＠10W ，11V过压保护，8A过流保护，150摄氏度过温保护。

NU1008

NU1008是高度集成的5W智能功率全桥芯片，集成了功率全桥、全桥驱动、Q值检测、电流采样、数字解调， 4．8V DC／DC为MCU供电。输入电压为4到5．5V， 4mm＊4mm QFN封装，充电效率为80％ 5W，7V过压保护，8A过流保护，155摄氏度过温保护。

伏达半导体是一家专注于无线充电IC设计、系统和方案设计的半导体公司，它的强项在于功率电源芯片的设计和电源系统设计。伏达已经向市场开放了PowerStage的使用，输出功率大小不同（5W／10W／15W）的三款PowerStage， 方便针对不同的应用灵活使用，帮助提高无线充电整个市场的集成度。