FLY-30MHZ-50MHZ EMI辐射问题的时域波形理论分析！
FLY－MOS管的源极流出的电流（Is）与流入的电流（Id）波形进行对比分析。
A．示波器测试开关MOS的漏极（Id）的电流：
CH1：IC－CS（采样电阻）CH2：VDS CH3：IC－DRV（驱动）CH4：Id（测试漏极D）
B．示波器测试开关MOS的源极（Is）的电流：
CH1：IC－DRV（驱动）CH2：VDS CH4：Is（测试源极S）
我们要了解FLY电源的特性就需要了解我测试图中的1，2，3处的电流特性对我们的可靠性及EMI设计都有帮助；
FLY反激电源实测Ids电流时前端都有一个尖峰（测试图中的1处），这个尖峰到底是什么原因引起的？怎么来消除或者改善？
我们都知道这个尖峰是开关MOS开通的时候出现的，根据FLY回路，Ids电流环为Vbus（C1）经变压器原边、然后经过开关MOS再到Vbus（C1）形成回路。根据初级线圈电感特性，其电流不能突变，MOS开通时呈线性上升，但由于原边线圈匝间存在的分布电容（如下图中CP），在开启瞬间，使Vbus（C1）经分布电容CP到MOS有一高频通路，所以形成一个时间很短的尖峰。
我们知道此尖峰电流是变压器的初级电感的分布参数引起，因此可以从变压器的初级绕组来进行分析，改变这个电容CP的大小就可以改变这个尖峰电流；最直接的是加大间隙来减少耦合，如果绕组只有单层也可以减少耦合；但对于低功率的应用是没法实现的；实际上我们方法就是采用经典的三明治绕法。当然如果对FLY电源的成本没有太高的要求：
比如变压器尽量选用Ae值大的（增大变压器的选用型号），使设计时绕组圈数变少减少层数，从而使层间电容变小。也可减少线与线之间的接触面，达到减少分布电容的目的。
注意：三明治绕法是把原边绕组分开对此尖峰就有改善，还能减少漏感。当然，无论怎样都不能完全避免分布电容的存在，所以这个尖峰是不能完全消除的。并且这个尖峰高产生的振荡，对EMI不利，实际工作影响倒不大。但如果太高可能会引起芯片过流检测的误触发。
因此所以的FLY－开关电源IC内部都会加一个200nS－500nS的前沿消隐时间来防止误触发，就是我们常见的开关电源IC的LEB功能。
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