EMC在电子产品／设备已经成为可靠性的重要组成部分；将越来越被重视！特别对于我们的工业＆消费类产品要求满足其相应的认证和出口要求，对应的国家政策也在不断完善；同时国际贸易的深化发展；EMC技术成为电子产品／设备必过的硬性指标！

目前开关电源由于其体积小，效率高在电子产品＆设备中被广泛应用。我的《开关电源：EMC的分析与设计》这门课程帮助了很多人都很轻松解决了开关电源中碰到的EMI问题；我再将开关电源变压器屏蔽技术解决问题的思路分享给大家

以反激式开关电源为例，在分析其高频变压器形成共模传导EMI 机理的基础上，分析在变压器设计中设置屏蔽层以抑制共模传导EMI 的原理。试验测试表明，屏蔽层的设置可以有效地抑制高频开关电源的共模传导EMI。由此进一步研究了屏蔽层在其他类型开关电源中的应用。

电磁兼容－EMC是指电子设备或系统在电磁环境下能正常工作，且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。它包括电磁干扰（EMI）和电磁敏感（EMS）两方面。由于开关电源中存在很高的di／dt 和du／dt，因此，所有拓扑形式的开关电源都有电磁干扰的问题。目前克服电磁干扰的技术手段主要有：在电源的输入、输出端设置无源或有源滤波器，设置屏蔽外壳并接地，采用软开关技术和变频控制技术等。

开关电源中，EMI产生的根本原因在于存在着电流、电压的高频急剧变化，其通过导线的传导，以及电感、电容的耦合形成传导EMI。从而电流、电压的变化必定伴有磁场、电场的变化，因此，导致了辐射EMI。我们重分析变压器中共模传导EMI 产生的机理，并以此为依据，研究变压器中不同的屏蔽层设置方式对共模传导EMI 的抑制效果。

高频变压器中传导EMI 产生机理

以反激式变换器为例，其电路如下图所示。

开关管开通后，变压器一次侧电流逐渐增加，磁芯储能也随之增加。当开关管关断后，输出二次侧整流二极管导通，变压器储能被耦合到二次侧，给负载供电。

在开关电源中，输入整流后的电流为尖脉冲电流，开关开通和关断时变换器中电压、电流变化率很高，这些波形中含有丰富的高频谐波。另外，在主开关管开关过程和整流二极管反向恢复过程中，电路的寄生电感、电容会发生高频振荡，以上这些都是电磁干扰的来源。开关电源中存在大量的分布电容，这些分布电容给电磁干扰的传递提供了通路，如下图所示。LISN 为线性阻抗稳定网络，用于线路传导干扰的测量。干扰信号通过导线、寄生电容等传递到变换器的输入、输出端，形成了传导干扰。变压器的各绕组之间也存在着大量的寄生电容！

LY－开关电源寄生电容典型的分布

FLY结构的开关电源系统，变换器的开关MOS管工作于高速开关状态如下：

变压器在开关MOS管开通时，回路电流线性上升；MOS管关断时回路电流快速关断，电源线的电流为高频的三角波脉动电流，含有丰富的高频谐波电流；便产生了差模传导EMI。同时，电源元器件与大地之间的电位差也会产生高频变化。由于元器件与大地、机壳之间存在着分布电容，便产生了在输入端与大地、机壳所构成回路之间流动的共模传导EMI 电流。

具体到变压器中，一次绕组与二次绕组之间的电位差也会产生高频变化，通过寄生电容的耦合，从而产生了在一次侧与二次侧之间流动的共模传导EMI电流。交流等效回路及简化等效回路如下图所示。

图中：ZLISN为线性阻抗稳定网络的等效阻抗；CP为变压器一次绕组与二次绕组间的寄生电容；ZG为大地不同点间的等效阻抗；CSG为输出回路与地间的等效电容；Z 为变压器以外回路的等效阻抗。

变压器中共模传导EMI 的流通回路

变压器中共模传导EMI 数学模型（以初次级两绕组的简化设计图为例进行分析）PI开关电源－变压器设计软件：变压器的屏蔽层技术抑制EMI的设计！

在上图中所示的变压器为例，最上层一次绕组与二次绕组间的寄生电容最大，是产生共模传导EMI 的主要原因，故以下主要分析这两层间分布电容对共模传导EMI 的影响，忽略变压器其他绕组对共模传导EMI 的影响。

设一次绕组有3 层，每层m 匝，二次绕组仅一层，为n匝。当变压器磁芯中的磁通发生变化，便会同时在一次侧和次级产生感应电动势。根据叠加定理，可认为这是仅一次绕组有感应电动势、二次绕组电动势为零和仅二次绕组有感应电动势、一次绕组电动势为零两种情况的叠加。

仅一次绕组有感应电动势、二次绕组电动势为零的情况如下图；e1为每匝一次绕组的感应电动势；C1x为一匝最外层一次绕组与二次绕组间的寄生电容。