电子产品&设备：开关电源FLY-关键波形分析！
注意：由于RCD吸收钳位电路中－钳位二极管正向恢复的影响，VDS出现关断的瞬时尖峰电压！
在下图中：我有将吸收二极管D上并联电容Ct＝220PF／470PF测试系统的波形如下：
黑色为：吸收二极管上 无并联电容C 的波形
绿色为：吸收二极管上 并联电容C＝220PF 的波形
实际应用中：吸收二极管上 并联电容Ct＝220PF的电容 消除了VDS的正向的尖峰电压；同时从图中可以看到其振荡频率减小，其对应的高频谐波分量也会减小！对系统的EMI有较好的改善作用！
RCD吸收设计分析：
1．R1阻值越大，图中A点的尖峰越高；R1，C1的充放电速度变慢，C2的电容小，其充电速度快；会快速达到顶点A．
2．C1，R1对漏感能量吸收充电或放电为下一个周期的吸收做准备；过度的吸收会影响系统的效率，RC的损耗大；欠吸收时A点电压升高，MOS－VDS耐压检查设计裕量！
3．漏感Lkp 与C2的值，影响B位置的振荡波形（谐振频率）
4．Ct的作用如前面波形测试分析！
注意不良的吸收电路对系统可靠性会带来影响；如下：
吸收电路1：RCD参数设计合理波形
吸收电路2：RCD欠吸收波形；要注意开关MOS的耐压及裕量设计！
吸收电路3：RCD过吸收波形；RCD损耗大，影响系统效率！
阿杜老师的理论是：产品可靠性第一位！再来最佳成本同时优化EMI的设计！
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杜佐兵
电磁兼容（EMC）线上＆线下高级讲师
杜佐兵老师在电子行业从业近20年，是国家电工委员会高级注册EMC工程师，武汉大学光电工程学院、光电子半导体激光技术专家。目前专注于电子产品的电磁兼容设计、开关电源及LED背光驱动设计。
2019年在电源网的研讨会和大家有缘相聚！！
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